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離子遷移不再困擾：高效覆蓋膜解決方案

隨著電子設備在提高性能的同時向著小型化、輕量化方向發展，產品集成度越來越高，FPC的線寬線距越來越小。當FPC在高溫高濕的環境下工作時，細線路間易形成導電性枝晶，降低線路間的絕緣可靠性，甚至導致FPC短路失效。離子遷移造成的電子產品元器件電化學腐蝕成為下遊FPC廠近幾年最嚴重的質量問題。

提高草莓视频下载免费基材的耐離子遷移性成為了電子產品開發中的迫切需求。因此，對於精細線路製程工藝，與之匹配的抗枝晶（Anti-dendrite）材料就顯得十分必要。抗枝晶（Anti-dendrite）材料的使用，能有效降低細線路間產生枝晶的風險，提高FPC的可靠性。

耐離子遷移的產生條件

電化學遷移通常是指在電場作用下使金屬離子發生遷移的現象，其形成的必要條件：電勢差、電解質溶液、離子遷移通道、可遷移物質。

電勢差：當F草莓视频下载免费使用通電時，通路之間會形成一定的電勢差。

電解質溶液：環境條件下的水汽，F草莓视频下载免费製程中的汙染物離子及有膠材料膠粘劑中的雜質離子，可形成可導電的電解質溶液。

離子遷移通道：環氧膠係覆蓋膜在熱固化過程中會形成一些微小孔隙及空洞，就可為離子遷移提供通道。

可遷移物質：焊點Sn、 焊盤Ni、基材Cu等可參與電化學反應的金屬及其離子。

耐離子遷移覆蓋膜優勢

相對於normal CVL ：

l 更低的鹵素水平

l 更優秀的高溫耐老化能力

l 1000H耐離子遷移能力，無枝晶

相對於其他廠家Anti-dendrite CVL

l 更好的操作性

l 更優良的基礎物性和耐老化信賴性

l 更具有競爭力的價格

技術參數

ZYC-C係列CVL耐離子遷移性能突出，適合精細線路設計FPC製程。

耐離子遷移覆蓋膜——鹵素對比

Anti-dendrite產品具有較Normal產品更低的鹵素水準，更耐離子遷移。

 Normal CVL 428ppm

耐離子遷移覆蓋膜——遷移測試

Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

*500h Normal cvl部分樣品發生微短

耐離子遷移覆蓋膜——測試設備

雙85環境下50V直流電壓對樣品進行測試1000H

Migration test 1000H OK , no dendrite